继国内首款3300V 60mΩSiC MOSFET发布后，陕西半导体先导技术中心又爆出“技术狠活”，

推出其1200V 100A H桥全碳化硅模块产品。

此模块产品的芯片完全国产化，产品通态电阻更低、效率更高、损耗更低，可根据不同应用场景进行相应配置。

因寄托了对客户的深度理解和期待，倡导“龙头-3300-60”MOSFET的联名效应，此产品被誉为“龙行1200-100-H”，

共SA1001K2ESHAF、SA1001K2ESHAN和SA1001K2ESHAH三个型号，

主要应用于高频切换、DC/DC变流器、电动汽车直流充电器等领域。多年的技术积淀成就了“龙行1200-100-H”在各层面的优质特性，其大电流密度、低电感设计、低开关损耗、高频操作，

及来自MOSFET的零截止尾电流、正常关闭、故障安全的设备操作、易于并行、集成NTC温度传感器等特点，

将为其在更多领域得到应用保驾护航。

九万风鹏，毳幕云开。先导作为国家宽禁带工程中心第一共建单位，利用核心关键技术，

针对不同客户开辟与应用市场紧密结合的第三条技术路线。

“龙行1200-100-H”是为了适应快速变化的市场环境而推出的战略布局产品。

千淘万漉，吹尽狂沙。期待先导利用自身的技术研发和产品创新优势，不断突破，贡献更卓著的产品。

一、产品基本参数、外观、内部电路拓扑

二、优势参数

①先导中心三款H桥模块产品，通态电阻低，效率更高、损耗更低

②产品耐高温，性能稳定

③击穿电流大，可靠性高

④先导中心三款H桥模块产品，开启、关断时间短，效率高